温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请涉及一种形成半导体装置的方法和其中使用的光掩模。一种方法包含：在半导体衬底的第一、第二、第三和第四区上方形成绝缘膜；在所述绝缘膜上形成聚酰亚胺膜；以及使用至少包含第一透射率的第一区、第二透射率的第二区、具有遮蔽材料的第三区和第四区的光...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。