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本发明公开了一种等离子体处理装置及其上电极组件的调节方法,该装置包含:真空反应腔,其由反应腔腔体和设有通孔的腔体端盖包围而成;下电极组件,与通孔中心对称;上电极组件,贯穿腔体端盖的通孔,上电极组件的边缘与通孔的侧壁之间设有间距;若干个加热组...该专利属于中微半导体设备(上海)股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中微半导体设备(上海)股份有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种等离子体处理装置及其上电极组件的调节方法,该装置包含:真空反应腔,其由反应腔腔体和设有通孔的腔体端盖包围而成;下电极组件,与通孔中心对称;上电极组件,贯穿腔体端盖的通孔,上电极组件的边缘与通孔的侧壁之间设有间距;若干个加热组...