一种等离子体处理装置及其上电极组件的调节方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种等离子体处理装置及其上电极组件的调节方法，该装置包含：真空反应腔，其由反应腔腔体和设有通孔的腔体端盖包围而成；下电极组件，与通孔中心对称；上电极组件，贯穿腔体端盖的通孔，上电极组件的边缘与通孔的侧壁之间设有间距；若干个加热组件，用于加热上电极组件，使上电极组件受热膨胀直至上电极组件边缘周向与通孔的侧壁接触；若干个支撑组件，用于实现上电极组件和腔体端盖的分离和固定，当加热组件处于加热状态时，上电极组件和腔体端盖可发生相互位移。其优点是：该装置将加热组件、支撑组件等相结合，利用热胀冷缩的原理，实现上电极组件的对中调节，不需要另外安装其他复杂的结构，结构简单，调节方便。便。便。

【技术实现步骤摘要】
一种等离子体处理装置及其上电极组件的调节方法


[0001]本专利技术涉及半导体设备领域，具体涉及一种等离子体处理装置及其上电极组件的调节方法。

技术介绍

[0002]在半导体器件的制造过程中，等离子体刻蚀是将晶圆加工成设计图案的关键工艺。在整个工艺过程中，等离子体处理装置的上电极组件和晶圆的对中性对晶圆的刻蚀效果影响巨大。
[0003]现有的等离子体处理装置很多都是可移动式的上电极组件设计，其可应用于晶圆刻蚀尤其晶圆边缘刻蚀领域。在传送晶圆进出真空反应腔时，上电极组件抬起；而对晶圆进行处理时，上电极组件下降并与晶圆之间留下微小的间距。因此，上电极组件在下降到晶圆附近时，需要与晶圆、下电极组件保持极高的同心度，使得晶圆边缘暴露在等离子体中的部分在圆周方向对称，才能得到均匀的刻蚀，以达到较优的刻蚀效果。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种等离子体处理装置及其上电极组件的调节方法，该等离子体处理装置使上电极组件的边缘与腔体端盖的通孔的侧壁之间设有间距，采用加热组件和支撑组件相结合，利用热胀冷缩的原理，可实现本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，该装置包含：真空反应腔，其由反应腔腔体和腔体端盖包围而成，所述腔体端盖设有一通孔；下电极组件，设置在所述真空反应腔内，所述下电极组件设置有承载面，以承载待处理晶圆，所述下电极组件与所述通孔中心对称；上电极组件，贯穿所述腔体端盖的通孔设置，所述上电极组件的边缘与所述通孔的侧壁之间设有间距；若干个加热组件，用于加热所述上电极组件，使所述上电极组件受热膨胀直至所述上电极组件边缘周向与所述腔体端盖的通孔的侧壁接触；若干个支撑组件，用于实现所述上电极组件和所述腔体端盖的分离和固定，当所述加热组件处于加热状态时，所述上电极组件和所述腔体端盖可发生相互位移。2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述上电极组件的顶部由若干个所述支撑组件支撑安装在所述腔体端盖上方，所述上电极组件底部在所述真空反应腔内，所述上电极组件与所述下电极组件相对设置，两者之间为等离子体环境。3.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述支撑组件高度可调节，其包含：螺杆，设置在所述腔体端盖的上方；内螺纹转盘，与所述螺杆螺纹连接；夹紧螺母，与所述螺杆螺纹连接，所述夹紧螺母设置在所述内螺纹转盘的上方，所述上电极组件包括向外延伸的一安装基座，所述安装基座为凹型结构，所述安装基座的上边缘位于所述内螺纹转盘和所述夹紧螺母之间。4.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述内螺纹转盘上设置有若干个凸起结构，所述凸起结构与所述上电极组件接触。5.如权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述凸起结构为一凸轮环，所述凸轮环与所述内螺纹转盘同轴心。6.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，各个支撑组件沿所述上电极组件外侧周向均匀分布。7.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述上电极组件的边缘与所述通孔的侧壁之间的间距在室温下为0.4+/-0.05mm。8.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述加热组件为加热器；和/或，所述加热组件可拆卸。9.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨金全，黄允文，吴狄，王明明，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：