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本发明提供了一种化学气相沉积装置的反应腔室及化学气相沉积装置，反应腔室包括：反应腔本体；晶片托盘，位于所述反应腔本体内，其上表面用于放置待处理的晶片，所述晶片托盘的周向外侧边沿设有弧形圆角；托盘支撑轴，位于晶片托盘的下方，托盘支撑轴与所述晶...
该专利属于北京沁圆半导体设备有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京沁圆半导体设备有限公司授权不得商用。

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