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本发明涉及半导体材料技术领域，特别是涉及一种肖特基结复合材料及其制备方法和应用。本发明提供了一种肖特基结复合材料，由Ti3C2T
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该专利属于中国地质大学（北京）所有，仅供学习研究参考，未经过中国地质大学（北京）授权不得商用。

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