肖特基结复合材料及其制备方法和应用技术

本发明专利技术涉及半导体材料技术领域，特别是涉及一种肖特基结复合材料及其制备方法和应用。本发明专利技术提供了一种肖特基结复合材料，由Ti3C2T

【技术实现步骤摘要】
肖特基结复合材料及其制备方法和应用


[0001]本专利技术涉及半导体材料
，特别是涉及一种肖特基结复合材料及其制备方法和应用。

技术介绍

[0002]半导体作为一种具有潜力的光催化技术已广泛被研究。半导体光催化技术可以直接利用太阳能产生燃料、降解污染物以及对生物分子进行传感检测，因此备受关注。但是单个半导体有其自身的缺陷，如：光生电子空穴对的快速复合、载流子传输效率差及光利用率低等，从而限制了其应用。构建异质结材料是提升半导体光电化学性能的有效手段，将半导体与导电性优异的材料复合形成肖特基结，从而使光生电子空穴对有效分离，表现出更优异的光化学性质，可用于制备高性能的催化剂或传感器。
[0003]因此，研究可以应用于催化剂或传感器的肖特基复合材料具有重要意义。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供了一种可用于光电化学传感器的肖特基结复合材料，能够大幅提升光电化学传感器的性能。
[0005]第一方面，提供了一种肖特基结复合材料，由Ti3C2T
x
片层及负载在所述Ti3C2T
x...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种肖特基结复合材料，其特征在于，由Ti3C2T
x
片层及负载在所述Ti3C2T
x
片层上的AgI微球组成，其中，一个Ti3C2T
x
片层上负载有多个AgI微球。2.如权利要求1所述的肖特基结复合材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)，对Ti3C2T
x
多层粉末进行解离处理，以减少聚焦在一起的Ti3C2T
x
的层数；(2)将经过步骤(1)解离处理的Ti3C2T
x
和含有Ag
+
的溶液混合，之后，进行超声处理，使得Ag
+
附着在Ti3C2T
x
片层的表面，再将滴加含有I
‑
的溶液，得到第一混合液；(3)对所述第一混合液依次超声处理、干燥处理，得到所述肖特基结复合材料。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述步骤(1)中，每1mg的Ti3C2T
x
多层粉末放入到2mL去离子水中，超声处理，以进行解离处理，得到分散液；所述步骤(2)中，将含有Ag
+
的溶液逐滴加入到所述分散液中，之后，进行超声处理，再将逐滴滴加含有I
‑
的溶液，得到第一混合液。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述分散液由将15mgTi3C2T
x
多层粉末放入到30mL去离子水中，再进行超声处理后得到的；所述含有Ag
+
的溶液由61.5mg...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴静，陈天友，
申请(专利权)人：中国地质大学北京，
类型：发明
国别省市：