温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种优化的TVS结构器件，N型半导体衬底的P基区形成三次叠加扩散的基区，P基区的P1基区与N型半导体衬底形成目标电压，P基区的P2基区和P3基区在P1基区上两层扩散形成电压调制区，通过在N型半导体衬底上设置三次叠加扩散的P基区，...
该专利属于富芯微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过富芯微电子有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。