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本发明提供一种双向导通槽栅功率MOS器件结构及其制造方法，在硅片表面形成栅极、源极和漏极，实现双向导通双向耐压的功率MOS器件，可用于锂电池BMS防护等应用环境下。相比于传统BMS中采用双管串联的方式以及其他实现双向导通的结构，本发明提出的...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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