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半导体结构及其制作方法技术
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文档序号:32608718
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本发明实施例提供一种半导体结构及其制作方法,半导体结构的制作方法包括:提供衬底,衬底包括相邻的阵列区和外围区,阵列区包括与外围区相连的缓冲区;在衬底上形成依次层叠的第一介质层、第一支撑层、第二介质层、第二支撑层以及第三介质层,第一支撑层至少...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。
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