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一种半导体器件及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底上具有栅极结构和位于栅极结构两侧的导电层；在栅极结构上形成第一硬掩膜层；在导电层上形成第二硬掩膜层；刻蚀去除所述栅极结构的中心上的第一硬掩膜层以及栅极结构的中心一侧的导电层上的第二硬掩...
该专利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。

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