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一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底；在所述基底上形成第一介质层和若干栅极结构，所述栅极结构两侧的基底内具有源漏掺杂区，且所述源漏掺杂区顶部表面具有源漏插塞，所述第一介质层位于所述栅极结构、源漏掺杂区以及源漏插塞表面；在所述第...
该专利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。

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