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本实用新型公开了一种半导体存储装置，半导体存储装置包含衬底以及第一图案。第一图案设置在衬底之上且沿着第一方向延伸，第一图案包含延伸部和两端点，两端点分别包含第一末端图形和第二末端图形，其中延伸部具有第一宽度，第一末端图形包含外侧加宽部和内侧...
该专利属于福建省晋华集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建省晋华集成电路有限公司授权不得商用。

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