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本发明属于压电式超声换能器技术，具体涉及一种压电式MEMS超声换能器，换能器单元包括带有空腔的衬底硅片和换能器结构层，换能器结构层位于衬底硅片上方并与衬底硅片固定结合，使衬底空腔形成密封腔室；换能器结构层从下到上依次由氧化硅层、硅结构层、电...
该专利属于武汉大学所有，仅供学习研究参考，未经过武汉大学授权不得商用。

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