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本申请公开了一种沟槽侧壁的表面掺杂方法及半导体器件，所述掺杂方法包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底中具有沟槽；基于所述沟槽形成扩散掺杂区域，所述沟槽的至少部分侧壁具有所述扩散掺杂区域；其中，位于所述沟槽侧壁的所述扩散掺杂区域的掺杂浓度沿...
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