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本发明提供一种雪崩光电二极管阵列探测器，包括第一导电类型衬底层、PN结、隔离结构、至少一阳极引出端及阴极引出端，其中，第一导电类型半导体层位于第一导电类型衬底层上，PN结位于第一导电类型半导体层中，且PN结在水平面上的投影具有间隔区域；隔离...
该专利属于江苏尚飞光电科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏尚飞光电科技股份有限公司授权不得商用。

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