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本发明公开了一种硅片生产用高温臭氧氧化装置，包括工作台和壳体，所述壳体上设置有进料口和出料口，所述工作台的上侧壁设置有用于对硅片进行输送的输送机构，且输送机构通过驱动机构进行驱动，所述壳体内设置有多组用于对硅片进行加热的加热机构和用于对硅片...
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