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本申请属于光电探测技术领域，特别是涉及一种薄膜制备方法及光电探测器。现有的光电探测器上的薄膜光利用效率低，限制了光电探测器的性能。本申请提供了一种薄膜制备方法，在温度小于250℃的条件下，通过加热锡材料源和硒材料源，使得锡和硒蒸发后在衬底上...
该专利属于中国科学院深圳先进技术研究院所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院深圳先进技术研究院授权不得商用。

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