一种薄膜制备方法及光电探测器技术

本申请属于光电探测技术领域，特别是涉及一种薄膜制备方法及光电探测器。现有的光电探测器上的薄膜光利用效率低，限制了光电探测器的性能。本申请提供了一种薄膜制备方法，在温度小于250℃的条件下，通过加热锡材料源和硒材料源，使得锡和硒蒸发后在衬底上纵向生长形成半导体纳米片阵列薄膜。SnSe2二维薄膜材料直立式V型结构，其陷光效应十分显著，光利用效率极大地增强，对340nm至650nm波长的光的吸收超过90％，可有效提高探测器的光响应度及外量子效率。子效率。子效率。

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜制备方法及光电探测器


[0001]本申请属于光电探测
，特别是涉及一种薄膜制备方法及光电探测器。

技术介绍

[0002]光电探测器，也称为光电传感器，是光或其他电磁辐射的传感器，可以吸收入射辐射并将其转换为电信号。也是现代集成和小型化电子行业的重要组成部分。其对于光学信息的捕获、识别和可视化至关重要，并在视觉成像、光通信、遥感、光电存储、环境监测、军事探测等领域有着不同的应用。二维层状半导体材料在基础研究和技术开发等方面都取得了巨大的进步。如MoS2、SnSe2、SnS2等二维层状硫族化合物由于具有独特的纳米电子学、光学和光电特性而受到越来越广泛的关注。通过分子束外延和气相沉积等简单易行、低成本的工艺流程制备，从而拓展其在光电探测器方面的应用。
[0003]现有的光电探测器上的薄膜光利用效率低，限制了光电探测器的性能。

技术实现思路

[0004]1.要解决的技术问题
[0005]现有的光电探测器上的薄膜光利用效率低，限制了光电探测器的性能。
[0006]2.技术方案/>[0007]为了本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种薄膜制备方法，其特征在于：在温度小于250℃的条件下，通过加热锡材料源和硒材料源，使得锡和硒蒸发后在衬底上纵向生长形成半导体纳米片阵列薄膜。2.如权利要求1所述的薄膜制备方法，其特征在于：采用分子束外延工艺在所述衬底上生长形成SnSe
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纳米片阵列薄膜；所述分子束外延工艺包括向分子束外延设备中分别加入高纯度硒材料源和高纯度锡材料源，通过所述分子束外延设备分别加热所述硒材料源和所述锡材料源，并将所述硒材料源以分子束或原子束的形式喷射至所述衬底上，同时将所述锡材料源以分子束或原子束的形式喷射至所述衬底上，形成SnSe
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纳米片阵列薄膜。3.如权利要求2所述的薄膜制备方法，其特征在于：对所述衬底进行旋转，使得所述SnSe
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纳米片阵列薄膜均匀生长。4.如权利要求1～3中任一项所述的薄膜制备方法，其特征在于：所述半导体纳米片阵列薄膜为SnSe2二维薄膜材料直立式V型结...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱元昊，陈明，杨春雷，陈志勇，严振，徐泽林，
申请(专利权)人：中国科学院深圳先进技术研究院，
类型：发明
国别省市：