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本发明公开一种碳化硅沟槽结构及其制造方法和半导体器件，其中碳化硅沟槽结构的制造方法包括：在碳化硅基片的表面形成第一掩膜层；在第一掩膜层上形成具有预设图案的光刻胶层；以光刻胶层为掩膜，对第一掩膜层进行第一刻蚀形成开口，开口暴露出碳化硅基片的表...
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