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本发明提供一种能够抑制电容绝缘膜的耐压降低并且抑制与施加电压相应的沟槽电容器的电容变动的半导体装置。该半导体装置具有：半导体基板；掺杂有杂质的半导体膜，形成为覆盖沟槽的内壁表面且从内壁表面连续地沿半导体基板的一个面延伸，其中，上述沟槽形成为...
该专利属于拉碧斯半导体株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过拉碧斯半导体株式会社授权不得商用。

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