温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

该非易失性存储器单元由变化电阻型的非易失性存储器元件50和选择晶体管TR来构造，其中非易失性存储器元件50的一端连接到选择晶体管TR的一个源极/漏极区域15A并且连接到写入线WR，而选择晶体管TR的另一个源极/漏极区域15B连接到选择线SL...
该专利属于索尼半导体解决方案公司所有，仅供学习研究参考，未经过索尼半导体解决方案公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。