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本发明涉及一种集成高速续流二极管的碳化硅分离栅MOSFET及其制备方法，属于功率半导体器件技术领域。本发明的MOSFET采用分离栅的设计，以降低器件的开关损耗。为了防止分离栅结构所带来的栅氧可靠性问题，加入了P型埋层降低多晶硅边缘栅氧化层的...
该专利属于成都蓉矽半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都蓉矽半导体有限公司授权不得商用。

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