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本发明公开了一种多层同质的压电结构及制备方法,包括单晶压电层、设置于所述单晶压电层上表面的图案化电极换能器组件,以及位于所述单晶压电层中预设深度处的至少一层反射层;所述反射层与所述单晶压电层为同质材料,并且所述反射层由所述单晶压电层通过离子...该专利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院上海微系统与信息技术研究所授权不得商用。
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本发明公开了一种多层同质的压电结构及制备方法,包括单晶压电层、设置于所述单晶压电层上表面的图案化电极换能器组件,以及位于所述单晶压电层中预设深度处的至少一层反射层;所述反射层与所述单晶压电层为同质材料,并且所述反射层由所述单晶压电层通过离子...