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本发明提供一种触发电压可调的ESD保护器件及其制作方法，所述ESD保护结构包括：具有第一导电类型的深阱和功能器件层，所述功能器件层位于所述深阱内，并且所述功能器件层包括：第二导电类型的体区；第一导电类型的源极和漏极；栅结构，设置于所述体区的...
该专利属于微龛（广州）半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过微龛（广州）半导体有限公司授权不得商用。

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