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本发明公开了一种集成MOSFET器件及制备方法，涉及半导体功率器件领域。通过ESD多晶硅层作为掩膜版阻挡P型体区在外围的注入达到器件耐压的目的，且在Rg区域内形成可调节电阻区，可完善器件的功能。包括：非掺杂多晶硅层，其位于第一导电类型漂移层...
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