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本发明属于电气元件领域，特别是涉及一种沟槽型半导体器件及其制造方法。沟槽型半导体器件包括半导体基板、漏电极区、栅电极区、源电极区和绝缘栅介质层；所述半导体基板开设有沟槽，所述栅电极区位于沟槽中，所述绝缘栅介质层位于所述栅电极区与所述半导体基...
该专利属于比亚迪半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过比亚迪半导体股份有限公司授权不得商用。

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