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本发明属于功率半导体模块的封装集成技术领域，公开了一种大功率全碳化硅模块的封装结构及封装方法。所述封装结构包括：底层直接覆铜陶瓷(DBC)基板、贴装在底层DBC基板上的碳化硅功率芯片(MOSFET)、驱动电阻、垫片、顶层DBC基板、连接端子...
该专利属于华中科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过华中科技大学授权不得商用。

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