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本发明公开一种大尺寸磁光晶体制备方法，采用高纯的Ga2O3和Tb4O7为原料，锆杯作为坩埚保护套，坩埚采用平底结构，生长不同阶段冲入不同的气体（氮气和氧气），同时不同阶段采用不同的转速，保证大尺寸TGG等径生长。保证大尺寸TGG等径生长。保...
该专利属于福建福晶科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建福晶科技股份有限公司授权不得商用。

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