一种大尺寸磁光晶体制备方法技术

本发明专利技术公开一种大尺寸磁光晶体制备方法，采用高纯的Ga2O3和Tb4O7为原料，锆杯作为坩埚保护套，坩埚采用平底结构，生长不同阶段冲入不同的气体（氮气和氧气），同时不同阶段采用不同的转速，保证大尺寸TGG等径生长。保证大尺寸TGG等径生长。保证大尺寸TGG等径生长。

【技术实现步骤摘要】
一种大尺寸磁光晶体制备方法


[0001]本专利技术涉及晶体生长领域，特别涉及一种大尺寸磁光晶体制备方法。

技术介绍

[0002]铽镓石榴石(TGG)晶体在400～1100nm波段(不包括470～500 nm)透明，且具有大磁光常数、低吸收系数、强磁光效应的顺磁性材料。由于其具有更宽的透过区域，更高的激光损伤阈值，同时拥有掺 Tb
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的法拉第旋光玻璃无法比拟的高热导率和优质的材料均匀性，因此成为了国内外法拉第器件，高功率隔离器的首选材料。它是用于制作法拉第隔离器的最佳磁光材料，广泛应用于YAG、掺Ti蓝宝石等多级放大、环形及种子注入激光器中。大尺寸 TGG 单晶生长，随着坩埚口径变大，径向温度梯度也越大，生长过程温场的一致性也越差，保证晶体生长过程稳定性，成了生长大晶体必要解决的难题。

技术实现思路

[0003]为了给大尺寸TGG晶体提供一个稳定的生长系统，本专利技术采用高纯的Ga2O3和Tb4O7为原料，适当富Ga2O3，采用自动化提拉炉，锆杯作为坩埚保护套，坩埚采用平底结构，降低晶体生长过程Ga2O
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种大尺寸磁光晶体制备方法，其特征在于采用高纯的Ga2O3和Tb4O7为原料，适当富Ga2O3，采用自动化提拉炉，锆杯作为坩埚保护套，坩埚采用平底结构，生长不同阶段冲入不同的...

【专利技术属性】
技术研发人员：王昌运，陈伟，陈养国，陈秋华，
申请(专利权)人：福建福晶科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：