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一种形成半导体结构的方法，包括在衬底之上形成鳍状物，在衬底之上形成围绕鳍状物的浅沟槽隔离区域，以及形成为纳米片场效应晶体管提供沟道的纳米片堆叠体。该方法还包括在形成于第一鳍状物上的第一纳米片堆叠体的侧壁和顶表面的一部分之上形成沟道保护衬垫，...
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