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根据本发明，描述了用脉冲调制的ｄｃ物理气相沉积方法沉积ＬｉＣｏＯ↓［２］层。这种沉积可以提供ＬｉＣｏＯ↓［２］结晶层的低温、高沉积速率的沉积，所述ＬｉＣｏＯ↓［２］结晶层具有理想的〈１０１〉或〈００３〉取向。所述沉积的一些实施方案解决了Ｌｉ...
该专利属于希莫菲克斯公司所有，仅供学习研究参考，未经过希莫菲克斯公司授权不得商用。

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