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本专利申请案涉及微电子装置及相关存储器装置、电子系统及方法。一种形成微电子装置的方法包括形成存储器阵列区域，所述存储器阵列区域包括垂直位于基底结构之上的存储器单元，所述基底结构包括半导电材料及垂直延伸到所述半导电材料中的对准标记结构。形成延...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

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