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本发明涉及金属外壳密封技术领域，具体涉及一种低温无压的传感器金属外壳密封方法，首先通过化学处理和Ar等离子体轰击对金属外接口进行表面活化，然后将表面活化后的金属外接口在室温至150℃低温度范围内，在真空环境下以及适当压力下两两之间进行键合。...
该专利属于中国电子科技集团公司第三十八研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第三十八研究所授权不得商用。

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