一种低温无压的传感器金属外壳密封方法技术

本发明专利技术涉及金属外壳密封技术领域，具体涉及一种低温无压的传感器金属外壳密封方法，首先通过化学处理和Ar等离子体轰击对金属外接口进行表面活化，然后将表面活化后的金属外接口在室温至150℃低温度范围内，在真空环境下以及适当压力下两两之间进行键合。本发明专利技术为直接键合，不需要其他金属的参与。本发明专利技术密封得到的传感器密封性能好，可在室温至150℃低温度范围键合，元器件性能受影响程度低，产品使用寿命长，探测精准；将金属材料进行键和，接触紧密，密封性能好，且键合技术较为成熟，可应用于大规模工业生产。于大规模工业生产。于大规模工业生产。

【技术实现步骤摘要】
一种低温无压的传感器金属外壳密封方法


[0001]本专利技术涉及金属外壳密封
，具体涉及一种低温无压的传感器金属外壳密封方法。

技术介绍

[0002]辐射探测器在军工，测量工业以及现代自动化生产中应用广泛。而辐射探测器的性能受Be窗口腔体内部真空度的影响较大，在辐射探测器Be窗口制造过程中，需要在Be窗口内部形成一个真空环境。而Be窗口主要由Be头部和Ni底部组成，需要在这两部分的接口处进行密封。而今现行的方法主要有焊接，胶合等方法。但这两种方法成本高，密封性能不好。因此，需要一种密封性能好，成本低廉的密封技术。
[0003]鉴于上述缺陷，本专利技术创作者经过长时间的研究和实践终于获得了本专利技术。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于解决如何对传感器Be窗口进行密封性能好，成本低的密封，提供了一种低温无压的传感器金属外壳密封方法。
[0005]为了实现上述目的，本专利技术公开了一种低温无压的传感器金属外壳密封方法，包括以下步骤：
[0006]S1：对金属外接口进行表面活化；
[0本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低温无压的传感器金属外壳密封方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：对金属外接口进行表面活化；S2：将步骤S2中表面活化后的金属外接口两两之间进行键合，键合温度为室温至150℃，键合压力为0～100N。2.如权利要求1所述的一种低温无压的传感器金属外壳密封方法，其特征在于，所述步骤S1中金属外接口成分为Be或Ni。3.如权利要求1所述的一种低温无压的传感器金属外壳密封方法，其特征在于，所述步骤S1中活化方法为采用化学处理的方式对金属表面进行活化。4.如权利要求1所述的一种低温无压的传...

【专利技术属性】
技术研发人员：毛亮，王志海，于坤鹏，孙超，潘慧明，盛文军，鲍睿，钱江蓉，魏李，胡峰，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第三十八研究所，
类型：发明
国别省市：