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本发明实现兼具空穴选择性和钝化特性的空穴选择性膜。半导体装置的制造方法具备通过热原子层沉积法在结晶硅层上形成氧化钛膜的工序和对氧化钛膜实施氢等离子体处理的工序。工序和对氧化钛膜实施氢等离子体处理的工序。工序和对氧化钛膜实施氢等离子体处理的工...
该专利属于独立行政法人产业技术综合研究所所有，仅供学习研究参考，未经过独立行政法人产业技术综合研究所授权不得商用。

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