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提供了一种用于存储一个或更多个信息位的存储器单元。存储器单元包括半导体衬底，在该半导体衬底上设置有源极端子、漏极端子和在源极端子与漏极端子之间延伸的沟道。存储器单元还包括控制栅和浮动栅极，浮动栅极设置在控制栅与沟道之间，并且浮动栅极通过电荷...
该专利属于兰卡斯特大学所有，仅供学习研究参考，未经过兰卡斯特大学授权不得商用。

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