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本申请是针对存储器阵列中的存取线的减小的电阻率。第一金属层可形成于通孔上方，所述通孔配置成使存储器阵列的存取线与对应驱动器耦合。所述第一金属层可氧化，且随后第二金属层可形成于所述氧化的第一金属层上方。所述存储器装置的一或多个存取线可由所述第...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

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