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一种掩膜版、半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在基底上形成栅极结构以及位于栅极结构一侧基底中的漏极；形成覆盖栅极结构以及漏极的介电层；刻蚀介电层，形成露出漏极的第一开口；刻蚀介电层和部分厚度的漏极，形成第二开口，第二开口与第一...
该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。

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