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本发明提供一种半导体结构及其制造方法，所述方法包括依序形成绝缘层及图案化掩膜层于基板上。图案化掩膜层具有开口，开口包括主体部以及位于主体部两端的两个延伸部。所述方法包括依序形成第一牺牲层、第二牺牲层及第三牺牲层于绝缘层上。第一牺牲层填入于开...
该专利属于华邦电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华邦电子股份有限公司授权不得商用。

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