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提供了一种方法，其中，对有缺陷的半导体晶体材料执行非晶化步骤，随之以热处理步骤。非晶化步骤使有缺陷的半导体晶体材料的包括表面区的区域部分或完全非晶化。然后执行热处理步骤，以便使有缺陷的半导体晶体材料的非晶化区域再结晶。在本发明中，利用从有缺...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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