下载半导体器件及其制备方法的技术资料

文档序号:3238869

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。

一种方法包括以下步骤:将硼注入硅衬底中的表面区域,以形成p↑[+]扩散区域;在p↑[+]扩散区域的表面注入铟,以形成铟注入层;在铟注入层上形成接触金属层;和使包括铟注入层的硅衬底中的硅与接触金属层中的金属反应,以形成硅化钛层。...
该专利属于尔必达存储器股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过尔必达存储器股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。