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半导体器件及其制备方法技术
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文档序号:3238869
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一种方法包括以下步骤:将硼注入硅衬底中的表面区域,以形成p↑[+]扩散区域;在p↑[+]扩散区域的表面注入铟,以形成铟注入层;在铟注入层上形成接触金属层;和使包括铟注入层的硅衬底中的硅与接触金属层中的金属反应,以形成硅化钛层。...
该专利属于尔必达存储器股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过尔必达存储器股份有限公司授权不得商用。
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