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一种纳米线多色近红外光电探测器制造技术
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文档序号:32386677
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本实用新型涉及一种纳米线多色近红外光电探测器,解决的是均匀性和稳定性差,成品率低,造价昂贵的技术问题,通过采用包括:上下依次设置的Si100基底和SiO2绝缘层,SiO2绝缘层设置多根不同组分的InAsP纳米线作为光吸收区,两端设有金属电极...
该专利属于广西师范大学所有,仅供学习研究参考,未经过广西师范大学授权不得商用。
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