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本发明涉及一种离子注入和键合工艺相结合制备绝缘体上的硅圆片的方法，特征在于先采用离子注入方法形成一腐蚀阻挡层，然后将器件片和支撑片键合在一起，并结合键合减薄的方法，减薄器件片反面到一定厚度，再把器件片中的离子注入层作为腐蚀的自停止层，利用化...
该专利属于上海新傲科技有限公司;陈猛所有，仅供学习研究参考，未经过上海新傲科技有限公司;陈猛授权不得商用。

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