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本发明的成膜装置（１０）包括被处理气体加压、产生等离子体的等离子体产生室（１４）；容纳基板并在基板上形成膜的成膜室（２０）；和具有多个孔且分离等离子体产生室（１４）与成膜室（２０）的分离板（１７）。分离板（１７）的孔的直径是使得等离子体产生...该专利属于东京毅力科创株式会社;寒川诚二所有，仅供学习研究参考，未经过东京毅力科创株式会社;寒川诚二授权不得商用。
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本发明的成膜装置（１０）包括被处理气体加压、产生等离子体的等离子体产生室（１４）；容纳基板并在基板上形成膜的成膜室（２０）；和具有多个孔且分离等离子体产生室（１４）与成膜室（２０）的分离板（１７）。分离板（１７）的孔的直径是使得等离子体产生...