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本发明涉及一种蚀刻方法，当蚀刻具有涂布硅类绝缘膜的叠层绝缘膜时，抑制底膜的破损或劣化。将在氮化钛膜的底膜上叠层ＳＯＧ膜和ＴＥＯＳ膜的基板（Ｗ）容纳在处理室（Ｓ）内，并支撑在基座（１３）上。处理室（Ｓ）内维持为减压氛围，从上部电极（３０），将...
该专利属于东京毅力科创株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东京毅力科创株式会社授权不得商用。

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