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本发明提供具有集成的闪存与外围电路的半导体器件及其制造方法。具体提供一种非易失性半导体存储器，包括：非易失性存储器区域，其包括栅极和第一绝缘侧壁，每个栅极包括浮动栅极、电极间绝缘膜及控制栅极的叠层，并且第一绝缘侧壁形成在栅极的侧壁上；外围电...
该专利属于富士通微电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过富士通微电子株式会社授权不得商用。

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