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本发明提供一种ｐ沟道ＭＯＳ晶体管、半导体集成电路器件及其制造工艺。该ｐ沟道ＭＯＳ晶体管包括形成在硅衬底中栅极的各横向侧的ｐ型源极区和漏极区，其中每个ｐ型源极区和漏极区包括任一金属膜区和金属化合物膜区，它们作为内部积累压应力的压应力源。使用本...
该专利属于富士通微电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过富士通微电子株式会社授权不得商用。

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