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本发明提供一种半导体器件及其制造方法，其中能够容易且可靠地实现沟道区域中的理想阶梯式分布，由此能同时抑制短沟道效应及防止迁移率下降。从半导体膜起将硅衬底非晶化到预定深度，并且在这种状态下引入将成为源极／漏极的杂质。然后激活杂质，并且通过低温...
该专利属于富士通微电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过富士通微电子株式会社授权不得商用。

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