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本发明提供一种半导体集成电路器件，在形成有具有ＩＧＢＴ及ＮＭＯＳ的半导体集成电路器件的基片（５０）上，形成二极管（４４），在ＮＭＯＳ的源电极（６６）与背栅电极（７０）及ＩＧＢＴ的发射极电极（５７）之间，正向连接二极管（４４）。通过设置二极管...
该专利属于三垦电气株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三垦电气株式会社授权不得商用。

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