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借助于降低半导体衬底上元件隔离沟槽的沟槽上边沿周围应力的产生，制造了一种具有高度可靠沟槽隔离结构的半导体器件，此沟槽隔离结构在沟槽上边沿处具有所需的曲率半径而不形成任何台阶，从而优化了元件隔离沟槽的形状，并使器件更精细，且改善了器件的电学特...该专利属于株式会社日立制作所;日立超大规模集成电路系统株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社日立制作所;日立超大规模集成电路系统株式会社授权不得商用。